Опис продукту: N-MOSFET транзистор IRF520NPBF - THT - 5 шт.
Базовий електронний компонент – транзистор – з максимальним струмом стоку до 9,7 А та максимальною напругою 100 В. Корпус TO-220 з монтажним отвором для полегшення розсіювання тепла.
Параметри N-MOSFET-транзистора IRF520NPBF
- Максимальний струм стоку Id: 9,7 А
- Максимальна напруга VDSS: 100 В
- Опір каналу Рдсона: 0,2 Ω
- Термічний опір з'єднання-корпус: 3,1 K/Вт
- Заряд затвора: 16,7 нКл
- Корпус: TO-220
Товари продаються упаковками по 5 штук. |
N-MOSFET-транзистор IRF520NPBF - THT - 5 шт.
N-MOSFET-транзистор IRF520NPBF - THT - 5 шт. Botland - Магазин робототехніки
Ми пропонуємо комплект з п'яти N-MOSFET транзисторів. IRF520NPBF розроблений для простого та інтуїтивно зрозумілого складання THT (корпус TO-220). Це спрощує складання навіть для початківця-електроніка з невеликим досвідом паяння.
Максимальна напруга для цього транзистора становить 100 В, тоді як струм стоку — 9,7 А.
N-MOSFET-транзистор IRF520NPBF
Транзистор є одним із фундаментальних компонентів, що використовуються в сучасній електроніці. Одним із найпоширеніших застосувань (транзисторів, подібних до запропонованого) є різні типи підсилювачів, джерел струму та регуляторів. Набагато менші транзистори зараз є основою роботи кожного мікропроцесора.
У нашому магазині ви знайдете набагато більше пропозицій щодо різних транзисторів та широкий вибір різноманітних електронних компонентів. Весь асортимент продукції Botland складається переважно з інструментів, пристроїв, компонентів та навчальних матеріалів, пов'язаних з робототехнікою, автоматизацією, електронікою та електротехнікою.
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Вага паковання | 0,01 кг |
| глибина паковання | 0,5 см |
- Ціна: 375 ₴


