N-MOSFET транзистор IRL540NPBF - THT - 5 шт. 6069969
505 ₴
- В наявності
- Код: 6069969
Опис продукту: N-MOSFET транзистор IRL540NPBF - THT - 5 штук
N-MOSFET-транзистор з параметрами Vds 100 В, Id 36 А та опором 0,044 Ом. Модуль у корпусі TO-220.
| Товари продаються упаковками по 5 штук. |
Технічні характеристики транзистора IRL540NPBF:
- Максимальний струм стоку Id: 36 А
- Максимальна напруга VDSS: 100 В
- Опір каналу Рдсона: 0,044 Ω
- Корпус: TO-220
Деталі в документації.
N-MOSFET-транзистор IRL540NPBF - THT - 5 шт.
N-MOSFET-транзистор IRL540NPBF - THT - 5 шт. Магазин Botland
N-MOSFET-транзистор IRL540NPBF типу THT (продається в комплекті з 5 штук) – це сучасний польовий транзистор, який дозволяє керувати затвором за допомогою низьковольтних сигналів, таких як 2 В. Тому для керування MOSFET-транзистором просто подавайте високу напругу з виходу мікроконтролера, що живиться 5 В (наприклад, ATmega) або навіть 3,3 В (наприклад, STM32 або ESP32). Ця корисна особливість відрізняє IRL540NPBF від звичайних MOSFET-транзисторів з пороговою напругою відкриття затвора 4 В або вище.
Ще однією значною перевагою транзисторів IRL540NPBF є дуже низький опір ланцюга стік-витік у повністю відкритому стані – типове значення RDS (увімкнено)становить лише 44 мОм, що дозволяє мінімізувати втрати на перемикання та значно зменшує нагрівальний ефект транзисторної структури, навіть при роботі без радіатора.
Інші параметри
Пропонований нами N-транзистор MOSFET може працювати з максимальним струмом стоку до 36 А, а максимальна розсіювана потужність (звичайно, за умов достатньо ефективного охолодження) може сягати 140 Вт. Спеціальна напівпровідникова технологія, що використовується у виробництві транзисторів серії IRL540NPBF, дозволяє працювати у надзвичайно широкому діапазоні температур – від -40oC до +175oC, що є чудовим результатом, враховуючи, що більшість напівпровідникових елементів можуть витримувати температури, що не перевищують 150oС.
Під час проектування схеми з використанням IRL540NPBF пам'ятайте, що тепловий опір від конструкції до корпусу становить 1,1oC/W, та від конструкції до навколишнього середовища (без радіатора) – 62oC/W.
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Основні | |
| Виробник | ESP |
| Користувальницькі характеристики | |
| Вага паковання | 0,002 кг |
| глибина паковання | 8 см |
- Ціна: 505 ₴